A3T18H360W23SR6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Doppio canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.4 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 65 V

Guadagno:

16.6 dB

Potenza di uscita:

63 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ACP-1230S-4L2S

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

1805 MHz to 1880 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Semiconduttori NXP

Numero di canali:

2 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

150

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Parte # Alias:

935346354128

Unità di peso:

0 oz

Tags

A3T18, A3T1, A3T