TK380A60Y,S4X

TK380A60Y,S4X
Mfr. #:
TK380A60Y,S4X
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TK380A60Y,S4X Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
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ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TK380A60Y,S4X maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-220SIS-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
600 V
Id - Corrente di scarico continua:
9.7 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
290 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
3 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
30 V
Qg - Carica cancello:
20 nC
Temperatura di esercizio minima:
-
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
30 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Nome depositato:
DTMOSV
Confezione:
Tubo
Serie:
TK380A60Y
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Marca:
Toshiba
Tempo di caduta:
8.2 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
23 ns
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
150 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
60 ns
Unità di peso:
0.068784 oz
Tags
TK380A60, TK380A, TK380, TK38, TK3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor To-220Sis Pd=30W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
***et
Power MOSFET N-Channel 600V 9.7A 3-Pin SC-67 Tube
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
Immagine Parte # Descrizione
KBP308G-BP

Mfr.#: KBP308G-BP

OMO.#: OMO-KBP308G-BP

Bridge Rectifiers 3A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
STTH20R04FP

Mfr.#: STTH20R04FP

OMO.#: OMO-STTH20R04FP

Rectifiers High Effecientcy Rectifier
INN3268C-H209-TL

Mfr.#: INN3268C-H209-TL

OMO.#: OMO-INN3268C-H209-TL

AC/DC Converters CV/CC 650V / 725V 45W 50W 40W 45W
64900001039

Mfr.#: 64900001039

OMO.#: OMO-64900001039

Fuse Holder PC MOUNT 5 X 20 MM
64900001039

Mfr.#: 64900001039

OMO.#: OMO-64900001039-LITTELFUSE

Fuse Holder PC MOUNT 5 X 20 MM
B66359X1014T001

Mfr.#: B66359X1014T001

OMO.#: OMO-B66359X1014T001-EPCOS

EMI/RFI Suppressors & Ferrites Ferrite Cores & Accessories COIL FORMER RYNITE FR 530
INN3268C-H209-TL

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IC OFFLINE SWITCH SR CONTROL
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Mfr.#: CA11267_HEIDI-O-90

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LED Lighting Lenses Single Lens
B32653A7104K000

Mfr.#: B32653A7104K000

OMO.#: OMO-B32653A7104K000-EPCOS

CAP, 0.1F, 1.25 KV, 10%, PP
AC002021

Mfr.#: AC002021

OMO.#: OMO-AC002021-MICROCHIP-TECHNOLOGY

CABLE MPLAB PM3 ICSP
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Azione:
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
1,40 USD
1,40 USD
10
1,12 USD
11,20 USD
100
0,86 USD
86,10 USD
500
0,76 USD
380,50 USD
1000
0,60 USD
600,00 USD
2500
0,53 USD
1 330,00 USD
10000
0,51 USD
5 130,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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