2SK3017(F)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3PN-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

900 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.25 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

90 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

20 mm

Lunghezza:

15.5 mm

Serie:

2SK3017

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.245577 oz

Tags

2SK301, 2SK30, 2SK3, 2SK