IXTQ88N30P

IXTQ88N30P
Mfr. #:
IXTQ88N30P
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
Darlington Transistors MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXTQ88N30P Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IXYS
categoria di prodotto
FET - Single
Serie
IXTQ88N30
Confezione
Tubo
Unità di peso
0.194007 oz
Stile di montaggio
Foro passante
Pacchetto-Custodia
TO-3P-3
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
600 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
25 ns
Ora di alzarsi
24 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
88 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
300 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
40 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
96 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
25 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
IXTQ88, IXTQ8, IXTQ, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
***i-Key
MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
***ark
Mosfet, N, To-3P; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:88A; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(On):0.04Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:600W; Msl:- Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:88A; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:600W; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Capacitance Ciss Typ:6300pF; Current Id Max:88A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.21°C/W; N-channel Gate Charge:180nC; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Reverse Recovery Time trr Max:250ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:300V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
***nell
MOSFET, N, TO-3P; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:88A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.04ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:5V; Dissipazione di Potenza Pd:600W; Modello Case Transistor:TO-3P; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017); Capacità Ciss Tipica:6300pF; Carica Gate Canale N:180nC; Corrente Id Max:88A; Intervallo Temperatura di Esercizio:Da -55°C a +150°C; Resistenza Termica A da Giunzione a Case:0.21°C/W; Temperatura di Esercizio Min:-55°C; Tempo di Recupero Inverso trr Max:250ns; Tensione Vds Tipica:300V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs di Misurazione Rds on:10V; Tipo di Terminazione:Foro Passante
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXTQ88N30P
DISTI # IXTQ88N30P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
57In Stock
  • 510:$6.2403
  • 120:$7.4481
  • 30:$8.2533
  • 1:$10.0700
IXTQ88N30P
DISTI # 747-IXTQ88N30P
IXYS CorporationMOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
RoHS: Compliant
4
  • 1:$10.5200
  • 10:$9.4700
  • 25:$7.8800
  • 50:$7.3200
  • 100:$7.1600
  • 250:$6.5300
  • 500:$5.9600
  • 1000:$5.6800
IXTQ88N30P
DISTI # 1427392
IXYS CorporationMOSFET, N, TO-3P
RoHS: Compliant
1
  • 1:$16.0600
  • 30:$13.1600
  • 120:$11.8800
  • 510:$9.9500
IXTQ88N30P
DISTI # 1427392
IXYS CorporationMOSFET, N, TO-3P
RoHS: Compliant
0
  • 1:£8.8600
  • 5:£8.2800
  • 10:£6.2000
  • 50:£5.7600
  • 100:£5.6400
Immagine Parte # Descrizione
IXTQ86N25T

Mfr.#: IXTQ86N25T

OMO.#: OMO-IXTQ86N25T

Discrete Semiconductor Modules DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 TO-3P (3)
IXTQ82N25P

Mfr.#: IXTQ82N25P

OMO.#: OMO-IXTQ82N25P

MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
IXTQ88N30P

Mfr.#: IXTQ88N30P

OMO.#: OMO-IXTQ88N30P

MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTQ88N15

Mfr.#: IXTQ88N15

OMO.#: OMO-IXTQ88N15

MOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds
IXTQ80N28

Mfr.#: IXTQ80N28

OMO.#: OMO-IXTQ80N28-1190

Nuovo e originale
IXTQ80N28T

Mfr.#: IXTQ80N28T

OMO.#: OMO-IXTQ80N28T-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
IXTQ88N30T

Mfr.#: IXTQ88N30T

OMO.#: OMO-IXTQ88N30T-1190

Nuovo e originale
IXTQ88N30P

Mfr.#: IXTQ88N30P

OMO.#: OMO-IXTQ88N30P-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTQ82N25P

Mfr.#: IXTQ82N25P

OMO.#: OMO-IXTQ82N25P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
IXTQ86N20T

Mfr.#: IXTQ86N20T

OMO.#: OMO-IXTQ86N20T-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
4500
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
8,52 USD
8,52 USD
10
8,09 USD
80,94 USD
100
7,67 USD
766,80 USD
500
7,24 USD
3 621,00 USD
1000
6,82 USD
6 816,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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