FDMD8560L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power 5 x 6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

22 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.4 mOhms, 5.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

92 nC, 92 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

FDMD8560L

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

98 S, 98 S

Tempo di caduta:

11 ns, 11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns, 15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

57 ns, 57 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns, 20 ns

Unità di peso:

0.003346 oz

Tags

FDMD85, FDMD, FDM