SH8K10SGZETB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A, 8.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

24 mOhms, 19.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.4 nC, 8.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

11 ns, 15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns, 27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

37 ns, 49 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns, 11 ns

Parte # Alias:

SH8K10S

Tags

SH8K1, SH8K, SH8