FP10R06W1E3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Array 7

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

16 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

68 W

Pacchetto/custodia:

EASY1B

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

12 mm

Lunghezza:

62.8 mm

Larghezza:

33.8 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

24

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FP10R06W1E3BOMA1 SP000092044

Unità di peso:

0.846575 oz

Tags

FP10R06W, FP10R0, FP10R, FP10, FP1