FDS3512

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

70 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

FDS3512

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

14 S

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Parte # Alias:

FDS3512_NL

Unità di peso:

0.004586 oz

Tags

FDS351, FDS35, FDS3, FDS