2N5655G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-225-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

250 V

Collettore-tensione di base VCBO:

275 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

10 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5655

Altezza:

11.04 mm (Max)

Lunghezza:

7.74 mm (Max)

Confezione:

Massa

Larghezza:

2.66 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.021200 oz

Tags

2N565, 2N56, 2N5