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GTVA107001EC-V1-R0

GTVA107001EC-V1-R0
Mfr. #:
GTVA107001EC-V1-R0
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
GTVA107001EC-V1-R0 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
GTVA107001EC-V1-R0 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Cree, Inc.
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
18 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
150 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 10 V to 2 V
Id - Corrente di scarico continua:
10 A
Potenza di uscita:
890 W
Tensione massima della porta di drenaggio:
-
Stile di montaggio:
Montaggio a vite
Pacchetto/custodia:
H-36248-2
Confezione:
Bobina
Frequenza operativa:
960 MHz to 1.215 GHz
Marca:
Wolfspeed / Cree
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
transistor
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
- 3 V
Tags
GTVA10, GTVA1, GTVA, GTV
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT
Wolfspeed / Cree GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT are 50V High Electron Mobility Transistors (HEMT) based on Gallium-Nitride on Silicon Carbide technology. GaN on SiC devices offer high power density coupled with a high breakdown voltage, enabling highly efficient power amplifiers. The GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT feature input matching, high efficiency, and thermally-enhanced packages. These Pulsed/CW (Continuous Wave) devices have a pulse width of 128µs and a duty cycle of 10%.
Immagine Parte # Descrizione
GTVA107001EC-V1-R0

Mfr.#: GTVA107001EC-V1-R0

OMO.#: OMO-GTVA107001EC-V1-R0

 RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
GTVA107001EC-V1-R250

Mfr.#: GTVA107001EC-V1-R250

OMO.#: OMO-GTVA107001EC-V1-R250

 RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Disponibilità
Azione:
49
Su ordine:
2032
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
829,35 USD
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A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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