BSO207P H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

32 mOhms, 32 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

- 16 nC, - 16 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS P

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

10 S, 10 S

Tempo di caduta:

35 ns, 35 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

22 ns, 22 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns, 33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 9 ns

Parte # Alias:

BSO207PHXUMA1 BSO27PHXT SP000613832

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

BSO207PH, BSO207, BSO20, BSO2, BSO