2N5796/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-78-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.6 V

Corrente massima del collettore CC:

600 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 150 mA, 10 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50 at 150 mA, 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

600 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Tags

2N5796, 2N579, 2N57, 2N5