2SD1918TLQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CPT-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

160 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

80 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SD1918

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 100 mA, 5 V

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

5.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

1.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.009185 oz

Tags

2SD1918T, 2SD1918, 2SD191, 2SD19, 2SD1, 2SD