TSM900N06CW RPG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

76 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

9.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

4.7 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Tempo di caduta:

5.3 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.9 ns

Unità di peso:

0.009171 oz

Tags

TSM900N0, TSM900, TSM90, TSM9, TSM