FQI9N08LTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

210 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.75 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

7.88 mm

Lunghezza:

10.29 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

180 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.5 ns

Unità di peso:

0.084199 oz

Tags

FQI9N0, FQI9N, FQI9, FQI