PMDXB950UPEZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1010B-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

1.19 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

380 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

480 mS

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.3 ns

Unità di peso:

0.000042 oz

Tags

PMDXB9, PMDX, PMD