A2T26H165-24SR3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

700 mA, 1.2 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 65 V

Guadagno:

14.7 dB

Potenza di uscita:

32 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-780S-4L2L-6

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

2.496 GHz to 2.69 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Numero di canali:

2 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.6 V

Parte # Alias:

935313041128

Unità di peso:

0.164793 oz

Tags

A2T26H165, A2T26H1, A2T26, A2T2, A2T