PMZ370UNEYL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1006-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

900 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

370 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

770 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

770 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.02 mm

Prodotto:

MOSFET

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Trench MOSFET

Larghezza:

0.62 mm

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

1580 mS

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

54 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.000028 oz

Tags

PMZ37, PMZ3, PMZ