NTHD3100CT3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ChipFET-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

77 mOhms, 85 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V, 8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.05 mm

Lunghezza:

3.05 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.65 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

6 S, 8 S

Tempo di caduta:

10.7 ns, 11.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10.7 ns, 11.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9.6 ns, 16 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.3 ns, 5.8 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

NTHD3100CT, NTHD3100, NTHD310, NTHD3, NTHD, NTH