SPU09P06PL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

400 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

14 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.22 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

2.38 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

1.8 S

Tempo di caduta:

89 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

168 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

49 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

SPU0, SPU