FDD4N60NZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.9 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

8.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

114 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

UniFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

FDD4N60NZ

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

3.4 S

Tempo di caduta:

12.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12.7 ns

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

FDD4, FDD