MRF9045LR1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

4.25 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

18.8 dB

Potenza di uscita:

60 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-360

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

945 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Transconduttanza diretta - Min:

3 S

Pd - Dissipazione di potenza:

117 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.8 V

Unità di peso:

0.032480 oz

Tags

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