BSD214SN H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

111 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

800 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

BSD214

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

4 S

Kit di sviluppo:

-

Tempo di caduta:

1.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.1 ns

Parte # Alias:

BSD214SNH6327XT BSD214SNH6327XTSA1 SP000917656

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

BSD214SNH, BSD214S, BSD214, BSD21, BSD2, BSD