NVMFD5C672NLT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

49 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.8 mOhms, 9.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

12.3 nC, 12.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

45 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

NVMFD5C672NL

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

27.5 S, 27.5 S

Tempo di caduta:

28 ns, 28 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns, 30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns, 22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns, 11 ns

Tags

NVMFD5C67, NVMFD5C6, NVMFD5C, NVMFD, NVMF, NVM