TK4R4P06PL,RQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

106 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

48.2 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

87 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

TK4R4P06PL

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

24 ns

Unità di peso:

0.007055 oz

Tags

TK4R4, TK4R, TK4