DMNH6011LK3-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

49.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

10.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.9 ns

Unità di peso:

0.011640 oz

Tags

DMNH601, DMNH6, DMNH, DMN