NTHD3102CT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ChipFET-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

45 mOhms, 80 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

600 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.05 mm

Lunghezza:

3.05 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTHD3102C

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.65 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

7.7 S, 5.9 S

Tempo di caduta:

15.9 ns, 16.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15.9 ns, 16.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16.4 ns, 15.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.2 ns, 6.4 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

NTHD3102CT, NTHD3102, NTHD310, NTHD3, NTHD, NTH