IPS060N03LGAKMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

50 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

30 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

56 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.22 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.38 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

34 S

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Parte # Alias:

G IPS060N03L IPS060N03LGXK SP000705724

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IPS060N03LG, IPS060, IPS06, IPS0, IPS