VND5N07-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

70 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

200 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

18 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Tubo

Serie:

VND5N07-E

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

3 S

Tempo di caduta:

1100 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

400 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

3900 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

150 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

VND5N0, VND5N, VND5, VND