RM45P20D3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Rectron

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

19 V

Id - Corrente di scarico continua:

45 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

55 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Rectron

Transconduttanza diretta - Min:

80 S

Tempo di caduta:

23 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

42 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

85 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Tags

RM45, RM4