NE3512S02-A

NE3512S02-A
Mfr. #:
NE3512S02-A
Produttore:
CEL
Descrizione:
RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
NE3512S02-A Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
CEL
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
S0-2
Tecnologia
GaAs
Tipo a transistor
HFET
Guadagno
13.5 dB
Pd-Power-Dissipazione
165 mW
Massima temperatura di esercizio
+ 125 C
Frequenza operativa
12 GHz
Id-Continuo-Scarico-Corrente
70 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
4 V
Polarità del transistor
Canale N
Transconduttanza diretta-Min
55 mS
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 3 V
Gate-Sorgente-Tensione di interruzione
4 V
Figura di rumore NF
0.35 dB
Tags
NE3512, NE351, NE35, NE3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Micro-X
***i-Key
HJ-FET NCH 13.5DB S02
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
NE3512S02-A
DISTI # NE3512S02-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET NCH 13.5DB S02
RoHS: Compliant
Min Qty: 90
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE3512S02-A
    DISTI # 551-NE3512S02-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
    RoHS: Compliant
    0
      Immagine Parte # Descrizione
      NE3512S02-A

      Mfr.#: NE3512S02-A

      OMO.#: OMO-NE3512S02-A

      RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
      NE3514S02-T1C-A

      Mfr.#: NE3514S02-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3514S02-T1C-A-CEL

      RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
      NE3515S02-T1C-A

      Mfr.#: NE3515S02-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3515S02-T1C-A-CEL

      RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
      NE3512S02-T1C-A

      Mfr.#: NE3512S02-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-A-CEL

      RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
      NE3512S02-T1D-AJT

      Mfr.#: NE3512S02-T1D-AJT

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-AJT-1190

      Nuovo e originale
      NE3512S02-T1

      Mfr.#: NE3512S02-T1

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1-1190

      Nuovo e originale
      NE3512S02-T1D

      Mfr.#: NE3512S02-T1D

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-1190

      Nuovo e originale
      NE3513M04

      Mfr.#: NE3513M04

      OMO.#: OMO-NE3513M04-1190

      Nuovo e originale
      NE3513M04-T2B-A

      Mfr.#: NE3513M04-T2B-A

      OMO.#: OMO-NE3513M04-T2B-A-CEL

      FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
      NE3517S03

      Mfr.#: NE3517S03

      OMO.#: OMO-NE3517S03-1190

      Nuovo e originale
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      6,43 USD
      100
      0,61 USD
      60,89 USD
      500
      0,58 USD
      287,50 USD
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      541,20 USD
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