NSV20101JT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-89-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

350 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSS20101J

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

0.85 mm

Marca:

ON Semiconductor

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

NSV20, NSV2, NSV