STI34N65M5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

28 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

110 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Qg - Carica cancello:

62.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

190 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Serie:

STI34N65M5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

7.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STI34, STI3, STI