BULB49DT4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

450 V

Collettore-tensione di base VCBO:

850 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

10 V

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BULB49D

Altezza:

4.6 mm (Max)

Lunghezza:

10.4 mm (Max)

Confezione:

Bobina

Larghezza:

9.35 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Pd - Dissipazione di potenza:

80000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.070548 oz

Tags

BULB4, BULB, BUL