FDP023N08B-F102

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Id - Corrente di scarico continua:

242 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.96 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

150 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

245 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.3 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FDP023N08B

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

185 S

Tempo di caduta:

56 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

71 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

111 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

41 ns

Parte # Alias:

FDP023N08B_F102

Unità di peso:

0.082753 oz

Tags

FDP023N, FDP023, FDP02, FDP0, FDP