MMIX1F210N30P3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

Polar3 HiPerFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Marca:

IXYS

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

13 ns

Id - Corrente di scarico continua:

108 A

Pd - Dissipazione di potenza:

520 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

16 mOhms

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

Polar3

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

94 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

46 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

300 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Tags

MMIX1F, MMIX1, MMIX, MMI