MJD112RLG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor Darlington

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Corrente massima di interruzione del collettore:

20 uA

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3 (DPAK)

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD112

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200, 500, 1000

Tipologia di prodotto:

Transistor Darlington

Quantità confezione di fabbrica:

1800

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.012381 oz

Tags

MJD112, MJD11, MJD1, MJD