ZXTN25100DFHTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

180 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Corrente massima del collettore CC:

2.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

175 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTN25100

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.05 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

1810 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

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ZXTN25100D, ZXTN251, ZXTN25, ZXTN2, ZXTN, ZXT