IXTP01N100D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220AB-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Id - Corrente di scarico continua:

400 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

5.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

25 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.15 mm

Lunghezza:

10.66 mm

Serie:

IXTP01N100

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

100 mS

Tempo di caduta:

64 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP0, IXTP, IXT