IXTP120P065T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Qg - Carica cancello:

185 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

298 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

IXTP120P065

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

28 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

31 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP120, IXTP12, IXTP1, IXTP, IXT