2STA1962

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Pacchetto/custodia:

TO-3P-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

230 V

Collettore-tensione di base VCBO:

230 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2ST1962

Altezza:

18.7 mm

Lunghezza:

15.8 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

5 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

130000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.238311 oz

Tags

2STA1, 2STA, 2ST