DMN33D8LV-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, NPN

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

350 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1.25 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

430 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

13.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.9 ns

Tags

DMN33D, DMN33, DMN3, DMN