MRF6S18100NBR1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

E

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

68 V

Guadagno:

14.5 dB

Potenza di uscita:

100 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-272-4

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Altezza:

2.64 mm

Lunghezza:

23.67 mm

Frequenza operativa:

1.8 GHz to 2 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

9.07 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Sensibile all'umidità:

sì

Pd - Dissipazione di potenza:

343 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 0.5 V, 12 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Unità di peso:

0.067412 oz

Tags

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