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AS4C256M16D3LB-10BINTR

AS4C256M16D3LB-10BINTR
Mfr. #:
AS4C256M16D3LB-10BINTR
Produttore:
Alliance Memory
Descrizione:
DRAM 4G, DDR3, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
AS4C256M16D3LB-10BINTR Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
AS4C256M16D3LB-10BINTR maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Memoria dell'Alleanza
Categoria di prodotto:
DRAM
RoHS:
Y
Tipo:
SDRAM - DDR3
Larghezza bus dati:
16 bit
Organizzazione:
256 M x 16
Pacchetto/custodia:
FBGA-96
Dimensione della memoria:
4 Gbit
Frequenza massima di clock:
933 MHz
Tensione di alimentazione - Max:
1.575 V
Tensione di alimentazione - Min:
1.283 V
Corrente di alimentazione - Max:
80 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 95 C
Serie:
AS4C256M16D3LB-10
Marca:
Memoria dell'Alleanza
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Tipologia di prodotto:
DRAM
Quantità confezione di fabbrica:
2000
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
AS4C256M16D3LB-10, AS4C256M16D3LB, AS4C256M16D3L, AS4C256M1, AS4C256M, AS4C25, AS4C2, AS4C, AS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
DDR3 Synchronous DRAM
Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieve high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600 Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pair in a source synchronous fashion. These devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.
Immagine Parte # Descrizione
AS4C256M16D3B-12BIN

Mfr.#: AS4C256M16D3B-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C256M16D3B-12BIN

 DRAM 4G 1.5V 800MHz 256Mx16 DDR3 I-Temp
AS4C256M16D3-12BANTR

Mfr.#: AS4C256M16D3-12BANTR

OMO.#: OMO-AS4C256M16D3-12BANTR

 DRAM 4G 1.5V 1600Mhz 256M x 16 DDR3
AS4C256M16D3-12BIN

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 DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz 256M x 16 DDR3
AS4C256M16D3L-12BINTR

Mfr.#: AS4C256M16D3L-12BINTR

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 DRAM 4G 1.35V 1600Mhz 256M x 16 DDR3
AS4C256M16D3L-12BIN

Mfr.#: AS4C256M16D3L-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C256M16D3L-12BIN-ALLIANCE-MEMORY

 DRAM 4G 1.35V 1600Mhz 256M x 16 DDR3
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 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Automotive, AEC-Q100
AS4C256M16D3L-12BAN

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 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Automotive, AEC-Q100
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 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Automotive, AEC-Q100
AS4C256M16D3LB-12BANTR

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 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Automotive, AEC-Q100
AS4C256M16D3LB-12BCNTR

Mfr.#: AS4C256M16D3LB-12BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C256M16D3LB-12BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
1500
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Il prezzo attuale di AS4C256M16D3LB-10BINTR è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
2000
7,29 USD
14 580,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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