MRFE6VP6300HSR3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

130 V

Guadagno:

26.6 dB

Potenza di uscita:

300 W

Temperatura di esercizio minima:

- 30 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-780S-4

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

1.8 MHz to 600 MHz

Serie:

MRFE6VP6300

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Pd - Dissipazione di potenza:

1.05 kW

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V

Unità di peso:

0.161213 oz

Tags

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