IPU80R2K8CEBKMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

12 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.22 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

CoolMOS CE

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.38 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

72 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Parte # Alias:

IPU80R2K8CE SP001100622

Unità di peso:

0.012102 oz

Tags

IPU80R2K8, IPU80R2, IPU80, IPU8, IPU