IFN5566

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

InterFET

Categoria di prodotto:

JFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-71-6

Polarità del transistor:

Canale N

Configurazione:

Dual

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 40 V

Corrente Drain-Source a Vgs=0:

30 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 Ohms

Pd - Dissipazione di potenza:

650 mW

Confezione:

Massa

Tipo:

JFET

Marca:

InterFET

Transconduttanza diretta - Min:

7000 uhmo

Tensione di interruzione gate-source:

- 3 V

Quantità confezione di fabbrica:

1

Tags

IFN556, IFN55, IFN5, IFN