SPB08P06P G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

300 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SIPMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

SPB08P06

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

46 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

48 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Parte # Alias:

SP000102179 SPB08P06PGATMA1 SPB8P6PGXT

Unità di peso:

0.067021 oz

Tags

SPB08P06PG, SPB08P, SPB08, SPB0, SPB