BC807DS,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-74-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Corrente massima del collettore CC:

- 1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

80 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

160 at 100 mA, 1 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

- 500 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

370 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BC807DS T/R

Unità di peso:

0.000388 oz

Tags

BC807DS, BC807D, BC807, BC80, BC8