DMG6601LVT-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOT-26-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.8 A, 2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms, 110 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV, 400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

12.3 nC, 13.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.3 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMG6601

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

15.6 ns, 2.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.4 ns, 4.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

31.2 ns, 18.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1.6 ns, 1.7 ns

Unità di peso:

0.000459 oz

Tags

DMG6601, DMG66, DMG6, DMG